化學機械研磨（CMP）是一個移除製程，是藉著結合化學反應和機械研磨來剝除沉積的薄膜，使積體電路（IC）表面更平滑、平坦。
CMP的優點是允許高解析度微影技術的圖案化步驟，當元件尺寸縮小時，微影技術的解析度就會變愈高，也就是欲使元件尺寸愈小，其表面的粗糙度必須愈小，才能確保微影技術的解析度，CMP製程就是扮演讓IC表面更平坦的關鍵製程。
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